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Western Digital está fabricando las primeras memorias NAND de 96 capas

memorias NAND de 96 capas

Se han confirmado las primeras memorias NAND de 96 capas, las cuales están siendo fabricadas por Western Digital, para los nuevos discos duros. Esta memoria ya se estaría enviando a varios socios colaboradores, para realizar las pruebas pertinentes, y así comenzar la producción en masa, la cual estaría destinada al mercado de los SSD.

Debemos recordar que Western Digital es una de las compañías más influyentes en el campo de la fabricación de estas memorias, luego de haber comprado la división de memorias NAND de Toshiba.

Las primeras memorias NAND de 96 capas nos darán más almacenamiento en menos tamaño

Estas nuevas memorias NAND de 96 capas, estarían utilizando la tecnología 3D BiCS NAND, con la cual se permite apilar un chip de memoria encima de otro, esto hace que se aumente la capacidad de almacenamiento sin necesidad de recurrir a aumentar el tamaño físico del dispositivo.

Sin embargo, según afirman en ANAND Tech, la producción actual de este tipo de memorias dista de madurez, y todavía no se puede comenzar la producción en masa, pero Western Digital parece optimista con los resultados que están obteniendo, y aseguran que la producción en masa no estaría muy lejos de poder comenzar.

Las memorias se fabricarán como TLC o QLC

Al parecer estas memorias NAND de 96 capas de Western Digital podrían fabricarse en dos tipos, TLC (Triple Level Cell) o QLC (Quad Level Cell), y lo más probable es que la producción que tienen actualmente esté enfocada en los TLC, y a medida que el proceso vaya avanzando, podríamos tener las memorias QLC.

Por ahora los chips tienen una capacidad de 256GB, aunque se espera que cuando el proceso esté maduro, y comiencen a fabricarse las memorias QLC, la capacidad aumente hasta 1TB, lo que tal vez traería una bajada en el precio de los SSD, al no requerirse chips montados en un circuito integrado.

Las NVRAM Intel 3D XPoint intentarán sustituir a la memoria RAM

NVRAM Intel 3D XPoint

Intel estaría interesado en lanzar sus nuevos módulos de memoria NVRAM Intel 3D XPoint, los cuales vendrían a sustituir a la memoria RAM que en estos momentos tiene un precio bastante elevado en el mercado. Este nuevo tipo de memoria desarrollado por Intel, es un híbrido que fusiona tecnologías de la memoria RAM actual, con la memoria NAND de los SSD, haciendo que se obtenga una memoria con unas características únicas.

¿Qué es una memoria NVRAM Intel 3D XPoint?

Estas memorias utilizan un formato conocido como NVDIMM, el cual no es muy popular en el mercado, al igual que la NVRAM, que se trata de una memoria persistente. Esto quiere decir que los nuevos módulos NVRAM Intel 3D XPoint, no eliminarán sus datos una vez que se corte el suministro eléctrico, como pasa con el formato actual de memorias RAM.

Para ello poseen condensadores, los cuales almacenan una carga eléctrica con la cual se copiará todo el contenido de la memoria RAM a un chip NAND cuando nos quedemos sin suministro eléctrico, de allí que la tecnología fusione los dos estándares actuales, almacenando la información en los chips que estarán montados en los módulos NVDIMM.

Compatibilidad de estas nuevas memorias

Según han confirmado desde PC Watch, estos nuevos módulos NVRAM Intel 3D XPoint, serán completamente compatibles con las ranuras actuales que utilizamos para conectar nuestras memorias RAM DDR4, por lo cual no tendrás que cambiar tu placa base para poder utilizar este nuevo formato de memorias.

Sin embargo, por ahora solo se tienen planes de implementar esta tecnología en servidores, por lo que tendremos que esperar un poco hasta que se implemente en el mercado de ordenadores de escritorio. Esto debido a que es un segmento donde suele ser más importante que no se pierdan datos en caso de alguna falla eléctrica.

Samsung ha iniciado la producción de las nuevas memorias eUFS

Samsung ha iniciado la producción de las nuevas memorias eUFS, con las cuales nos brindarán capacidades muy altas en los futuros Smartphones. Al parecer estos chips de memoria estarían destinados a la gama alta, ya que han alcanzado la capacidad de 512GB, el doble que lo que se había visto hasta el año anterior que era de 256GB, por lo cual podrías grabar hasta 130 videos de 10 minutos en UHD.

Pero según confirman desde Bussiness Wire, estas nuevas memorias eUFS, no se han limitado únicamente a mejorar su capacidad, sino que los tiempos de lectura y escritura ahora serán mejores, alcanzando hasta los 860MB/s de lectura y los 255MB/s de escritura. Aunque el cambio no es muy grande respecto a los modelos anteriores, ciertamente los usuarios lo notarán, puesto que ahora podrán transferir hasta 5GB a un disco SSD en solo 6 segundos.

Las memorias eUFS de la generación pasada, fueron destinadas al sector automotriz, ya que eran perfectas para almacenar los datos de los diferentes sensores a gran velocidad. Pero según los rumores, esta nueva generación si podría llegar a los dispositivos móviles, tanto a los Smartphones como a las Tablets. Así que por ahora solo resta esperar un poco a que el fabricante anuncie sus nuevos productos con 512GB de almacenamiento.

Samsung presenta su V-NAND de 1TB que llegará el próximo año

Samsung ha presentado su nueva memoria NAND con tecnología vertical 3D, la cual sería la V-NAND de 1TB para que no te falte la capacidad. Esta nueva memoria podría utilizarse en diversos dispositivos, tales como cámaras digitales e incluso Smartphones, y su fecha de lanzamiento estaría programada para el 2018, así que si requieres de grandes espacios de almacenamiento este será tu dispositivo ideal.

La V-NAND de 1TB, utiliza la estructura de apilamiento vertical, con la cual según ZDNET, la compañía conseguiría una mayor densidad y por lo tanto una mayor velocidad, una seguridad mucho mayor y una posibilidad de colapso muy baja. Igual que los SSD de consumo de 256GB, estos nuevos chips seguramente llegarán con nuevas generaciones de teléfonos, para brindarte un espacio de almacenamiento muy alto.

Por otra parte, la compañía también habría confirmado que se encuentran trabajando en un chip, el cual permitirá apilar hasta 2TB en un único encapsulamiento V-NAND. Gracias a este avance la sección de semiconductores de Samsung da un paso más adelante, y serán chips que seguramente veremos muy pronto en todos los dispositivos que usamos cotidianamente, ya que estos chips son utilizados por otros fabricantes, tales como Apple, aparte de sus teléfonos propios que llevan sus chips.